به پدیده القای EMF در هر مداری که جریان در مدار مجاور تغییر می کند، القای متقابل می گویند. emf القایی را emf القایی متقابل می نامند و مقدار آنی آن را با نشان می دهند. ماهیت القای متقابل بر این واقعیت استوار است که میدان مغناطیسی ایجاد شده در جریان جریان، حجم بیشتری را نسبت به سیم پیچ با جریان اشغال می کند. بنابراین، شار مغناطیسی می تواند در ناحیه پیچ ها و سیم پیچ های مجاور نفوذ کند:
شار ایجاد شده توسط جریان مدار اول کجاست، آیا شاری است که فقط در مدار اول نفوذ می کند، شاری است که مدار دوم را می گیرد (به نظریه ترانسفورماتور در پیوست 2 مراجعه کنید).
حاصل ضرب شار ایجاد شده توسط جریان و تعداد دور سیم پیچ را پیوند شار می گویند. یک قسمت مشترکجریان، با ترکیب هر دو مدار، پیوند شار را ایجاد می کند که متناسب با جریان القایی است.
که در سیستم های خطیضریب M به i بستگی ندارد و به آن اندوکتانس متقابل سیم پیچ های 1 و 2 می گویند. ضریب جفت دو مدار جفت شده مغناطیسی با اندوکتانس و اندوکتانس متقابل M به عنوان مقدار درک می شود.
بدیهی است که ضریب جفت نمی تواند بیشتر از یک باشد.
بیایید مداری از اتصال متوالی دو سیم پیچ جفت شده مغناطیسی با اتصال همخوان را در نظر بگیریم (میدان سیم پیچ دوم میدان اولی را تقویت می کند) که در شکل 2.1 نشان داده شده است.
با استفاده از قانون دوم Kirchhoff، به دست آوردن رابطه بین مقادیر لحظه ای جریان و ولتاژ در یک مدار مشترک دشوار نیست:
از آنجایی که نسبت EMF به جریان ایجاد شده توسط آن، طبق تعریف، چیزی بیش از مقاومت مدار و برای نوسانات هارمونیک نیست.
اگر سیم پیچ ها پشت به پشت وصل شده باشند (جریان سیم پیچ دوم میدان اولی را ضعیف می کند) بدیهی است که باید علائم جلوی M را به منفی تغییر دهید که از نظر فیزیکی توجیه می شود. در این مورد:
عبارات به دست آمده نشان می دهد که سلف های متصل به سری دارای مقاومت پیچیده ای هستند که بخش واقعی آن، همانطور که انتظار می رود، مقاومت سیم پیچ ها را خلاصه می کند. دی سیو قسمت خیالی، قبل از ضریب، اندوکتانس کل سیستم سیم پیچ ها است. بنابراین، ما می توانیم بنویسیم
در این عبارت، پلاس به حالت اتصال همخوان سیم پیچ ها و منهای به حالت اتصال مخالف اشاره دارد.
با داشتن دستگاهی برای اندازه‌گیری اندوکتانس، می‌توانید یک‌بار القای سیم‌پیچ‌ها را با اتصال ثابت سری اندازه‌گیری کنید و سپس سیم‌پیچ‌ها را در مقابل تغییر دهید و دوباره اندوکتانس را اندازه‌گیری کنید.
در حالت اول اندازه گیری می شود 
در مورد دوم 
با کم کردن دومی از عبارت اول، به دست می آوریم
بیایید به سراغ آزمایش برویم. به عنوان یک هدف مطالعه، ما از ماژول FPE-05، حاوی دو سیم پیچ کواکسیال استفاده می کنیم. سیم پیچ بیرونی با قطر بزرگتر را می توان در طول سیم پیچ داخلی حرکت داد و موقعیت آن توسط یک مقیاس روی میله کنترل می شود. ابتدا و انتهای هر دو سیم پیچ به دیواره عقب ماژول هدایت می شود، سوکت های مربوطه H1، K1، H2، K2 مشخص شده اند. با استفاده از سیم های اتصالسیم پیچ ها به یک خازن و اندوکتانس متر با فرکانس بالا از نوع E7-9 یا E12-1a متصل می شوند. توضیحات دستگاه ها در پوشه "universal" موجود است ابزار اندازه گیری" با تغییر موقعیت سیم پیچ خارجی با استفاده از میله، اندوکتانس های مربوط به سوئیچینگ صامت و شمارنده را اندازه گیری می کنیم، مقادیر مربوطه M را محاسبه می کنیم و نموداری را ترسیم می کنیم. M (mG) = F (Xcm).
فرم کلیتاسیسات |
